اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی CMOS قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...

اتصالات نوری، به عنوان جایگزینی مناسب برای اتصالات الکتریکی در بوردها و تراشه های کامپیوتری، توسط فوتونیک سیلیکونی مجتمع مبتنی بر تکنولوژی cmos قابل تحقق هستند. موجبر شیاری عایقی، به عنوان یکی از جدیدترین ساختارهای موجبر نوری، می تواند زیرساخت قطعات پسیو و اکتیو این مدارهای مجتمع را تشکیل دهد. قطعات پسیو دارای رفتار خطی هستند. از اثرات غیرخطی در موجبرهای فوتونیک سیلیکونی نیز می توان به منظور تح...

در این تحقیق، مشخصه های جریان، توان و بازده کوانتومی در آشکارساز تک حاملی utc-pd و پهنای باند در آشکارساز تک حاملی p-ge/i-si/n-si بررسی می شود و با استفاده از نظریه آشکارساز حلقوی، برای نخستین بار آشکارساز حلقوی تک حامل روندهp-ge/i-si/n-si طراحی و ارائه می شود. الگوی ارائه شده برای ساختار p-ge/i-si/n-si mr-utc-pd متشکل از الگوهای ساختار آشکارساز تک حامل رونده p-ge/i-si/n-si و ساختار موجبر حلقوی...

در این تحقیق، ساختاری جدید از فیبرهای فوتونیک کریستال پیشنهاد خواهد شد، که در آنها به جای استفاده از حفره‌های هوا در ناحیه پوسته فیبر، از میله‌های سیلیکای تغلیط شده با  فلورین 2% به منظور کاهش مشکلات مرتبط با تغییر شکل حفره‌های هوا در فرآیند ساخت فیبرهای فوتونیک کریستال استفاده خواهد شد. همچنین در ادامه، تعدادی از خواص انتشاری فیبر فوتونیک کریستال پیشنهاد شده با یک فیبر فوتونیک کریستال معمولی س...

فوتونیک کریستال­ها(pc)با خواص اپتیکی ویژه، می­توانند به منظور افزایش جذب نور و بهبود بازدهی تبدیل سلول­های خورشیدی استفاده گردند. ممانعت از انتشارطول­موج­های خاصی از نور در فوتونیک کریستال­ها منجر به افزایش طول مسیر نور در الکترود فعال سلول خورشیدی می­شود که احتمال جذب فوتون را بالا می­برد. در این مقاله، از روش آندایز دومرحله­ای برای تولید سلول خورشیدی حساس شده با رنگدانه (dssc) استفاده شده است...

در این تحقیق، ساختاری جدید از فیبرهای فوتونیک کریستال پیشنهاد خواهد شد، که در آنها به جای استفاده از حفره های هوا در ناحیه پوسته فیبر، از میله های سیلیکای تغلیط شده با  فلورین 2% به منظور کاهش مشکلات مرتبط با تغییر شکل حفره های هوا در فرآیند ساخت فیبرهای فوتونیک کریستال استفاده خواهد شد. همچنین در ادامه، تعدادی از خواص انتشاری فیبر فوتونیک کریستال پیشنهاد شده با یک فیبر فوتونیک کریستال معمولی س...

در این تحقیق، ساختاری جدید از فیبرهای فوتونیک کریستال پیشنهاد خواهد شد، که در آنها به جای استفاده از حفره‌های هوا در ناحیه پوسته فیبر، از میله‌های سیلیکای تغلیط شده با  فلورین 2% به منظور کاهش مشکلات مرتبط با تغییر شکل حفره‌های هوا در فرآیند ساخت فیبرهای فوتونیک کریستال استفاده خواهد شد. همچنین در ادامه، تعدادی از خواص انتشاری فیبر فوتونیک کریستال پیشنهاد شده با یک فیبر فوتونیک کریستال معمولی س...

در این رساله با استفاده از روش تفاضل محدود در زمان ابتدا به بررسی تأثیر خواص غیر خطی (از نوع کر) بلور فوتونی معکوس دو بعدی با شبکه های مربعی، مستطیلی و مثلثی بر میزان عبور نور از آنها می پردازیم. همچنین با ایجاد نقص دربلور با شبکه مثلثی، باند ممنوعه آن را با بلور کامل(بدون نقص) مقایسه خواهیم کرد. در ادامه میزان عبور نور از موجبرهای بلور فوتونی با شبکه های مربعی و مستطیلی را بررسی کرده ایم. از ن...

در این مقاله، جداکننده توان بلور فوتونیک با اتصال y شکل به منظور استفاده در ابزارهای مخابراتی طراحی، بهینه سازی و شبیه سازی شده است. به منظور افزایش میزان عبور موجبر از حفره ای با ضریب شکست متفاوت در محل اتصال استفاده شده است. با استفاده از روش های fdtd تعمیم یافته و mmp عبور پرتو از جداکننده توان شبیه سازی شده است. با توجه به هندسه موجبر بلور فوتونیک، قطبش الکتریکی عرضی در نظر گرفته شده است. ا...

در این پژوهش، نانوهرم­های اکسید قلع را با روش هیدروترمال در درجه حرارت پایین بر روی دو بستر سیلیکونی ساده و نانوساختار رشد شد. برای نانوساختار کردن بستر سیلیکونی، که اصطلاحا نانوخار سیلیکونی نامیده می­شود، از روش زدایش فاز پلاسما استفاده گردید. مقایسه تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نانوهرم­های سنتز شده بر روی بستر ساده و هم چنین نانوهرم­های سنتز شده بر روی بسترنانوساختار سیلیکونی تفاوت­ه...